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專門用于碳化硅（SiC）氮化鎵（GaN）器件的離子注入后退火工藝，采用特殊的無金屬加熱設計使加工溫度提高到2000℃。 適用工藝：SiC和GaN晶圓的退火
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現晶圓片高溫真空環境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的氧化、擴散、退火、合金等工藝。 氧化工藝：主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。
該設備是半導體生產線前工序的重要工藝設備之一，用于大規模集成電路、 分立器件、電力電子、光電器件等行業的磷/硼擴散、氧化、退火、合金和燒結等工藝 ； 主要用于初始氧化層、柵氧化層、場氧化層等多種氧化介質層的制備工藝。